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Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules :
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Drain Source On State Resistance
=0.313ohm
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| Comparar | N.º de peça do fabricante | Código de encomenda | Fabricante / Descrição | Disponibilidade | Preço para | Preço | Quantidade | MOSFET Module Configuration | Channel Type | Continuous Drain Current Id | Drain Source Voltage Vds | Drain Source On State Resistance | Transistor Case Style | No. of Pins | Rds(on) Test Voltage | Gate Source Threshold Voltage Max | Power Dissipation | Operating Temperature Max | Product Range |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
16AN4144 RoHS | Each | 1+$ 5.530 10+$ 4.820 25+$ 4.240 50+$ 3.990 100+$ 3.490 Mais preços... | Single | N Channel | 12A | 1.2kV | 0.313ohm | TO-263 (D2PAK) | 7Pins | 18V | 3V | 85W | 175°C | MaxSiC Series | |||||
Each | 1+$ 8.390 10+$ 7.020 25+$ 6.670 50+$ 6.320 100+$ 5.970 Mais preços... | Single | N Channel | 10.5A | 1.2kV | 0.313ohm | TO-247AD | 3Pins | 20V | 3.1V | 56W | 150°C | MaxSiC Series | ||||||
Each | 1+$ 10.400 10+$ 7.890 25+$ 7.550 50+$ 7.220 100+$ 6.880 Mais preços... | Single | N Channel | 10.5A | 1.2kV | 0.313ohm | TO-247AD | 4Pins | 20V | 3.1V | 56W | 150°C | MaxSiC Series | ||||||
