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IRLIZ44GPBF
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-220FP, Through Hole
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteIRLIZ44GPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante84 semanas
Código Newark63J7581
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970 Em Estoque
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a partir do armazém dos EUA
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.040 |
| 10+ | $ 3.950 |
| 25+ | $ 2.360 |
| 50+ | $ 2.310 |
| 100+ | $ 2.260 |
| 500+ | $ 1.940 |
| 1000+ | $ 1.860 |
| 2500+ | $ 1.770 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 4.04
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteIRLIZ44GPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante84 semanas
Código Newark63J7581
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id30A
On Resistance Rds(on)0.028ohm
Drain Source On State Resistance0.028ohm
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd48W
Rds(on) Test Voltage5V
Transistor Case StyleTO-220FP
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation48W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Descrição geral do produto
The IRLIZ44GPBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware. The moulding compound used provides a high isolation capability and a low thermal resistance between the tab and external heat sink. The isolation is equivalent to using a 100 micron mica barrier with standard product. The FULLPAK is mounted to a heat sink using a single clip or by a single screw fixing.
- Isolated package
- 2.5kVRMS (t = 60s, f = 60Hz) High voltage isolation
- 4.8mm Sink to lead creepage distance
- Logic-level gate drive
- RDS (ON) Specified at VGS = 4 and 5V
- Ease of paralleling
Aplicações
Industrial, Power Management, Commercial
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.028ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
5V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Drain Source On State Resistance
0.028ohm
Power Dissipation Pd
48W
Transistor Case Style
TO-220FP
Power Dissipation
48W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Documentação técnica (2)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos