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IRL640PBF
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 17 A, 0.18 ohm, TO-220, Through Hole
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteIRL640PBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante36 semanas
Código Newark63J7818
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Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 36 Semana(s)
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.190 |
| 10+ | $ 2.180 |
| 25+ | $ 1.650 |
| 50+ | $ 1.620 |
| 100+ | $ 1.590 |
| 500+ | $ 1.520 |
| 1000+ | $ 1.380 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 2.19
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteIRL640PBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante36 semanas
Código Newark63J7818
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id17A
Drain Source On State Resistance0.18ohm
On Resistance Rds(on)0.18ohm
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd125W
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Transistor Case StyleTO-220
Power Dissipation125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead
Descrição geral do produto
The IRL640PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for power dissipation levels to approximately 50W. The low thermal resistance of the package contributes to its wide acceptance throughout the industry.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- Logic-level gate drive
- Ease of paralleling
- RDS (ON) Specified at VGS = 4 and 5V
- Simple drive requirements
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.18ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
5V
Transistor Case Style
TO-220
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
Lead
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
17A
On Resistance Rds(on)
0.18ohm
Power Dissipation Pd
125W
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Alternativas para IRL640PBF
1 produto encontrado
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto