Imprimir página
IRFZ40PBF
Power MOSFET, N Channel, 50 V, 35 A, 0.028 ohm, TO-220, Through Hole
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteIRFZ40PBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante45 semanas
Código Newark19K8198
Seu número de peça
534 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Disponível conforme quantidade indicadaPara solicitar uma quantidade maior do que a exibida no inventário, entre em contato com o departamento de vendas
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.810 |
| 10+ | $ 2.190 |
| 100+ | $ 1.910 |
| 500+ | $ 1.720 |
| 1000+ | $ 1.610 |
| 2500+ | $ 1.570 |
| 5000+ | $ 1.540 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 3.81
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteIRFZ40PBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante45 semanas
Código Newark19K8198
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds50V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance0.028ohm
On Resistance Rds(on)0.028ohm
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd150W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Transistor Case StyleTO-220
Power Dissipation150W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Descrição geral do produto
The IRFZ40PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for power dissipation levels to approximately 50W. The low thermal resistance of the package contributes to its wide acceptance throughout the industry.
- Dynamic dV/dt rating
- -55 to 175°C Operating temperature range
- Ease of paralleling
- Simple drive requirements
Aplicações
Industrial, Power Management, Commercial
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
50V
Drain Source On State Resistance
0.028ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-220
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
35A
On Resistance Rds(on)
0.028ohm
Power Dissipation Pd
150W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos