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IRFR110PBF
MOSFET, N, 100V, 4.3A, D-PAK
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteIRFR110PBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark38K2600
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.380 |
| 10+ | $ 0.672 |
| 25+ | $ 0.637 |
| 50+ | $ 0.601 |
| 100+ | $ 0.566 |
| 500+ | $ 0.502 |
| 1000+ | $ 0.469 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.38
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteIRFR110PBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark38K2600
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id4.3A
Drain Source On State Resistance0.54ohm
On Resistance Rds(on)0.54ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation25W
Power Dissipation Pd25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Descrição geral do produto
- N-channel power MOSFET in DPAK (TO-252) package
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- Fast switching
- Ease of paralleling
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.54ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
25W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.3A
On Resistance Rds(on)
0.54ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para IRFR110PBF
2 produtos encontrados
Produtos associados
6 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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