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IRFIBF20GPBF
Power MOSFET, N Channel, 900 V, 1.2 A, 8 ohm, TO-220, Through Hole
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.250 |
| 10+ | $ 2.390 |
| 25+ | $ 2.330 |
| 50+ | $ 2.270 |
| 100+ | $ 2.210 |
| 500+ | $ 1.920 |
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Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteIRFIBF20GPBF
Código Newark63J6734
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds900V
Continuous Drain Current Id1.2A
Drain Source On State Resistance8ohm
On Resistance Rds(on)8ohm
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd30W
Transistor Case StyleTO-220
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation30W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
900V
Drain Source On State Resistance
8ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
30W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.2A
On Resistance Rds(on)
8ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-220
Power Dissipation
30W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documentação técnica (2)
Produtos associados
5 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos