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IRFIB6N60APBF
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 5.5 A, 0.75 ohm, TO-220FP, Through Hole
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteIRFIB6N60APBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante30 semanas
Código Newark63J6739
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 30 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1000+ | $ 2.580 |
| 2000+ | $ 2.530 |
| 3000+ | $ 2.480 |
| 5000+ | $ 2.430 |
| 10000+ | $ 2.370 |
| 25000+ | $ 2.320 |
| 50000+ | $ 2.270 |
| 100000+ | $ 2.220 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1000
Vários: 1000
$ 2,580.00
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteIRFIB6N60APBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante30 semanas
Código Newark63J6739
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id5.5A
Drain Source On State Resistance0.75ohm
On Resistance Rds(on)0.75ohm
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd60W
Transistor Case StyleTO-220FP
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation60W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Descrição geral do produto
The IRFIB6N60APBF is a 600V N-channel enhancement-mode Power MOSFET with single configuration. It is suitable for SMPS, uninterruptible power supply and high speed power switching applications.
- Low gate charge Qg results in simple drive requirement
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
- High voltage isolation
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.75ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
60W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.5A
On Resistance Rds(on)
0.75ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-220FP
Power Dissipation
60W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto