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IRFBG20PBF
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 1.4 A, 11 ohm, TO-220, Through Hole
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteIRFBG20PBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante35 semanas
Código Newark63J6701
Seu número de peça
995 Em Estoque
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a partir do armazém dos EUA
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.790 |
| 10+ | $ 3.310 |
| 100+ | $ 2.470 |
| 500+ | $ 1.980 |
| 1000+ | $ 1.940 |
| 2500+ | $ 1.900 |
| 5000+ | $ 1.860 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 4.79
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteIRFBG20PBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante35 semanas
Código Newark63J6701
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id1.4A
Drain Source On State Resistance11ohm
On Resistance Rds(on)11ohm
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd54W
Transistor Case StyleTO-220
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation54W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Descrição geral do produto
The IRFBG20PBF is a 1000V N-channel enhancement-mode Power MOSFET with single configuration. This third generation Power MOSFET from Vishay provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low ON-resistance. The package is universally preferred at power dissipation levels to approximately 50W. The low thermal contribute to its wide acceptance throughout the industry.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- Fast switching
- Ease of paralleling
- Simple drive requirements
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
11ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
54W
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.4A
On Resistance Rds(on)
11ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-220
Power Dissipation
54W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Alternativas para IRFBG20PBF
2 produtos encontrados
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos