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IRFBE30LPBF
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-262, Through Hole
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteIRFBE30LPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante36 semanas
Código Newark63J6694
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 36 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1000+ | $ 1.850 |
| 2500+ | $ 1.700 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1000
Vários: 1000
$ 1,850.00
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteIRFBE30LPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante36 semanas
Código Newark63J6694
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id4.1A
Drain Source On State Resistance3ohm
On Resistance Rds(on)3ohm
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd125W
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleTO-262
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
3ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.1A
On Resistance Rds(on)
3ohm
Power Dissipation Pd
125W
Transistor Case Style
TO-262
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documentação técnica (2)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto