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IRFBC20PBF-BE3
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 2.2 A, 4.4 ohm, TO-220AB, Through Hole
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteIRFBC20PBF-BE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante37 semanas
Código Newark78AH6352
Gama de produtosIRFBC20 Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 37 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1000+ | $ 1.270 |
| 2500+ | $ 1.140 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1000
Vários: 1000
$ 1,270.00
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteIRFBC20PBF-BE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante37 semanas
Código Newark78AH6352
Gama de produtosIRFBC20 Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id2.2A
Drain Source On State Resistance4.4ohm
On Resistance Rds(on)4.4ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation50W
Power Dissipation Pd50W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeIRFBC20 Series
Qualification-
SVHCLead
Descrição geral do produto
Notas
BE3 suffix indicates non China production - not subject to US import tariffs
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
4.4ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
50W
No. of Pins
3Pins
Product Range
IRFBC20 Series
SVHC
Lead
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.2A
On Resistance Rds(on)
4.4ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
50W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto