Imprimir página
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.

FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteIRFB11N50APBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante40 semanas
Código Newark38K2474
Seu número de peça
636 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.510 |
| 10+ | $ 1.940 |
| 25+ | $ 1.870 |
| 50+ | $ 1.800 |
| 100+ | $ 1.730 |
| 500+ | $ 1.170 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 3.51
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteIRFB11N50APBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante40 semanas
Código Newark38K2474
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id11A
Drain Source On State Resistance0.52ohm
On Resistance Rds(on)0.52ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation170W
Power Dissipation Pd170W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Descrição geral do produto
Power MOSFET suitable for use in switch mode power supply (SMPS), uninterruptible power supply and high speed power switching. Applicable for line SMPS tropologies are two transistor forward, half and full bridge and power factor correction boost.
- Low gate charge Qi results in simple drive requirement
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dot ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.52ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
170W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
11A
On Resistance Rds(on)
0.52ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
170W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
