Imprimir página
IRF9Z24SPBF
MOSFET, P, 60V, D2-PAK
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
536 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-4 Dias Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.890 |
| 10+ | $ 1.940 |
| 25+ | $ 1.790 |
| 50+ | $ 1.640 |
| 100+ | $ 1.480 |
| 500+ | $ 1.400 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 3.89
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteIRF9Z24SPBF
Código Newark25M9847
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id11A
Drain Source On State Resistance0.28ohm
On Resistance Rds(on)0.28ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd60W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation60W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Descrição geral do produto
The IRF9Z24SPBF is a third generation P-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast-switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The D2PAK is a surface-mount power package capable of accommodating die size up to HEX-4. It provides the highest power capability in any existing surface-mount package. The D2PAK is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2W in a typical surface-mount application.
- Advanced process technology
- -55 to 175°C Operating temperature range
- Fully avalanche rated
- Surface-mount
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
11A
On Resistance Rds(on)
0.28ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
60W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.28ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd
60W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Produtos associados
5 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos