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IRF9510SPBF
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 2.8 A, 1.2 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteIRF9510SPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante31 semanas
Código Newark58K5792
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 31 Semana(s)
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1000+ | $ 1.270 |
| 2000+ | $ 1.210 |
| 5000+ | $ 1.140 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1000
Vários: 1000
$ 1,270.00
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteIRF9510SPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante31 semanas
Código Newark58K5792
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id2.8A
Drain Source On State Resistance1.2ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation43W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.8A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
1.2ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
43W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Alternativas para IRF9510SPBF
3 produtos encontrados
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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