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IRF840APBF.
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220, Through Hole
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1000+ | $ 1.210 |
| 2500+ | $ 1.020 |
| 5000+ | $ 1.010 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1000
Vários: 1000
$ 1,210.00
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteIRF840APBF.Cópia
Código Newark26AC0652
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id8A
On Resistance Rds(on)0.85ohm
Drain Source On State Resistance0.85ohm
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd125W
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleTO-220
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Descrição geral do produto
The IRF840APBF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET with ultra-low gate charge.
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and Avalanche voltage and current
- Effective COSS specified
- Simple drive requirements
Aplicações
Industrial, Power Management
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
On Resistance Rds(on)
0.85ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
SVHC
Lead
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Drain Source On State Resistance
0.85ohm
Power Dissipation Pd
125W
Transistor Case Style
TO-220
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Documentação técnica (2)
Alternativas para IRF840APBF.
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Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Não
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto