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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteIRF820PBF-BE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante36 semanas
Código Newark78AH6382
Gama de produtosIRF820 Series
Seu número de peça
75 Em Estoque
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Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.970 |
| 10+ | $ 1.010 |
| 100+ | $ 0.908 |
| 500+ | $ 0.805 |
| 1000+ | $ 0.738 |
| 2500+ | $ 0.682 |
| 10000+ | $ 0.668 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.97
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteIRF820PBF-BE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante36 semanas
Código Newark78AH6382
Gama de produtosIRF820 Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id2.5A
On Resistance Rds(on)3ohm
Drain Source On State Resistance3ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd50W
Power Dissipation50W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeIRF820 Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Descrição geral do produto
Notas
BE3 suffix indicates non China production - not subject to US import tariffs
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
On Resistance Rds(on)
3ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
50W
No. of Pins
3Pins
Product Range
IRF820 Series
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.5A
Drain Source On State Resistance
3ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
50W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (2)
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos
