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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.620 |
| 10+ | $ 2.470 |
| 25+ | $ 2.370 |
| 50+ | $ 2.270 |
| 100+ | $ 2.160 |
| 500+ | $ 1.930 |
| 1000+ | $ 1.850 |
| 2500+ | $ 1.730 |
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Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteIRF644SPBF
Código Newark01AC4888
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id14A
On Resistance Rds(on)0.28ohm
Drain Source On State Resistance0.28ohm
Transistor Case StyleTO-263AB
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation125W
Power Dissipation Pd125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
250V
On Resistance Rds(on)
0.28ohm
Transistor Case Style
TO-263AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
14A
Drain Source On State Resistance
0.28ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Rastreabilidade de produtos
