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IRF640SPBF
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteIRF640SPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante27 semanas
Código Newark63J7356
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 27 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.250 |
| 10+ | $ 2.390 |
| 25+ | $ 2.330 |
| 50+ | $ 2.270 |
| 100+ | $ 2.210 |
| 500+ | $ 1.900 |
| 1000+ | $ 1.800 |
| 2500+ | $ 1.730 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 4.25
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteIRF640SPBFCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante27 semanas
Código Newark63J7356
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id18A
Drain Source On State Resistance0.18ohm
On Resistance Rds(on)0.18ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd130W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation130W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.18ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd
130W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
18A
On Resistance Rds(on)
0.18ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
130W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documentação técnica (2)
Alternativas para IRF640SPBF
4 produtos encontrados
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos