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BPW76B
Phototransistor, 850 nm, 40 °, 250 mW, 3 Pins, TO-18
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteBPW76BCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante8 semanas
Código Newark95B4217
Seu número de peça
2,000 Em Estoque
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Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1000+ | $ 1.650 |
| 2500+ | $ 1.530 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1000
Vários: 1000
$ 1,650.00
Observação da linha
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Informação do produto
Descrição geral do produto
The BPW76B is a Silicon NPN Phototransistor with high radiant sensitivity in hermetically sealed package with base terminal and flat glass window. It is sensitive to visible and near infrared radiation. It is suitable for detector in electronic control and drive circuits.
- High photo sensitivity
- High radiant sensitivity
- Suitable for visible and near infrared radiation
- Fast response time
- ϕ = ±40° Angle of half sensitivity
- Base terminal connected
- Hermetically sealed and leaded package
- Flat glass window
Aplicações
Sensing & Instrumentation, Automation & Process Control
Especificações Técnicas
Wavelength Typ
850nm
Power Consumption
250mW
Transistor Case Style
TO-18
MSL
-
Viewing Angle
40°
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2022)
Documentação técnica (2)
Alternativas para BPW76B
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (17-Jan-2022)
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Certificado de conformidade do produto