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2N7002K-T1-E3
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 500 mA, 2 ohm, TO-236, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricante2N7002K-T1-E3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante9 semanas
Código Newark
Rodo à Medida06J8894RL
Segmento de fita06J8894
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 9 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 3000 | $ 0.379 | $ 1,137.00 |
| Total Preço | $ 1,137.00 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.379 |
| 9000+ | $ 0.293 |
| 15000+ | $ 0.245 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricante2N7002K-T1-E3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante9 semanas
Código Newark
Rodo à Medida06J8894RL
Segmento de fita06J8894
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id500mA
Drain Source On State Resistance2ohm
On Resistance Rds(on)7.5ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd200mW
Transistor Case StyleTO-236
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation200mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
The 2N7002K-T1-E3 is a 60V N-channel MOSFET designed for use with direct logic-level interface and battery operated systems. It is also suitable for relays, solenoids, lamps, hammers, display, memories and transistor drivers.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- Low on-resistance
- Low threshold
- Low input capacitance (25pF)
- Fast switching speed (25ns)
- Low input and output leakage
- TrenchFET® power MOSFET
- 2000V ESD protection
- Low offset voltage
- Low-voltage operation
- Easily driven without buffer
- High-speed circuits
- Low error voltage
Aplicações
Power Management, Industrial
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
200mW
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
500mA
On Resistance Rds(on)
7.5ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-236
Power Dissipation
200mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (4)
Alternativas para 2N7002K-T1-E3
3 produtos encontrados
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidade do produto