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2N5566
JFET Transistor, Junction Field Effect, -40 V, 30 mA, -3 V, TO-71, 6 Pin, 150 °C
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
Já não é fabricado
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricante2N5566Cópia
Código Newark13C2015
Ficha técnica
Gate Source Breakdown Voltage Max-40V
Breakdown Voltage Vbr-40V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min5mA
Zero Gate Voltage Drain Current Max30mA
Gate Source Cutoff Voltage Max-3V
Transistor Case StyleTO-71
Transistor TypeJFET
No. of Pins6 Pin
Channel TypeN Channel
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Gate Source Breakdown Voltage Max
-40V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min
5mA
Gate Source Cutoff Voltage Max
-3V
Transistor Type
JFET
Channel Type
N Channel
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Breakdown Voltage Vbr
-40V
Zero Gate Voltage Drain Current Max
30mA
Transistor Case Style
TO-71
No. of Pins
6 Pin
Transistor Mounting
Through Hole
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
Conformidade RoHS:Não
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto