Imprimir página
2N5116
JFET Transistor, Junction Field Effect, 30 V, -25 mA, 4 V, TO-206AA, 3 Pin, 200 °C
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
Já não é fabricado
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricante2N5116Cópia
Código Newark13C1999
Ficha técnica
Gate Source Breakdown Voltage Max30V
Breakdown Voltage Vbr30V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min-5mA
Zero Gate Voltage Drain Current Max-25mA
Gate Source Cutoff Voltage Max4V
Transistor Case StyleTO-206AA
Transistor TypeJFET
Channel TypeP Channel
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max200°C
Transistor MountingThrough Hole
Qualification-
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Gate Source Breakdown Voltage Max
30V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min
-5mA
Gate Source Cutoff Voltage Max
4V
Transistor Type
JFET
No. of Pins
3 Pin
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Breakdown Voltage Vbr
30V
Zero Gate Voltage Drain Current Max
-25mA
Transistor Case Style
TO-206AA
Channel Type
P Channel
Operating Temperature Max
200°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
Conformidade RoHS:Não
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto