Imprimir página
2N4339-E3
JFET Transistor, Junction Field Effect, -57 V, 1.5 mA, -1.8 V, TO-206AA, 3 Pin, 175 °C
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
Já não é fabricado
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricante2N4339-E3Cópia
Código Newark06J8862
Ficha técnica
Gate Source Breakdown Voltage Max-57V
Breakdown Voltage Vbr-57V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min500µA
Zero Gate Voltage Drain Current Max1.5mA
Gate Source Cutoff Voltage Max-1.8V
Transistor Case StyleTO-206AA
Transistor TypeJFET
Channel TypeN Channel
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Qualification-
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Gate Source Breakdown Voltage Max
-57V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min
500µA
Gate Source Cutoff Voltage Max
-1.8V
Transistor Type
JFET
No. of Pins
3 Pin
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Breakdown Voltage Vbr
-57V
Zero Gate Voltage Drain Current Max
1.5mA
Transistor Case Style
TO-206AA
Channel Type
N Channel
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto