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2N4338-E3
JFET Transistor, Junction Field Effect, -57 V, 600 µA, -1 V, TO-206AA, 3 Pin, 175 °C
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
Já não é fabricado
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricante2N4338-E3Cópia
Código Newark06J8861
Ficha técnica
Breakdown Voltage Vbr-57V
Gate Source Breakdown Voltage Max-57V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min200µA
Zero Gate Voltage Drain Current Max600µA
Gate Source Cutoff Voltage Max-1V
Transistor Case StyleTO-206AA
Transistor TypeJFET
No. of Pins3 Pin
Channel TypeN Channel
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCTo Be Advised
Descrição geral do produto
The 2N4338-E3 is a 57V N-channel JFET in a hermetically sealed case and is designed for sensitive amplifier stages at low to mid frequencies. Low cut-off voltages accommodate low-level power supplies and low leakage for improved system accuracy. Suitable for infrared detector amplifier and ultra high input impedance amplifier applications.
- High input impedance
- Low noise
- High gain Av = 80 at 20µA
- Low signal loss/system error
- High system sensitivity
Aplicações
Security, Sensing & Instrumentation
Especificações Técnicas
Breakdown Voltage Vbr
-57V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min
200µA
Gate Source Cutoff Voltage Max
-1V
Transistor Type
JFET
Channel Type
N Channel
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Gate Source Breakdown Voltage Max
-57V
Zero Gate Voltage Drain Current Max
600µA
Transistor Case Style
TO-206AA
No. of Pins
3 Pin
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
MSL
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto