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2N4117A-E3
JFET Transistor, Junction Field Effect, -70 V, 90 µA, -1.8 V, TO-206AF, 3 Pin, 175 °C
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
Já não é fabricado
Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricante2N4117A-E3Cópia
Código Newark06J8858
Ficha técnica
Breakdown Voltage Vbr-70V
Gate Source Breakdown Voltage Max-70V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min30µA
Zero Gate Voltage Drain Current Max90µA
Gate Source Cutoff Voltage Max-1.8V
Transistor Case StyleTO-206AF
Transistor TypeJFET
No. of Pins3 Pin
Channel TypeN Channel
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCTo Be Advised
Descrição geral do produto
The 2N4117A-E3 is a 70V N-channel JFET provides ultra-high input impedance. This device is specified with a 1pA limit and typically operate at 0.2pA. It makes them perfect choices for use as high-impedance sensitive front-end amplifiers. Suitable for smoke detector input, infrared detector amplifier and precision test equipment applications.
- Very low current/voltage operation
- Low noise
- Insignificant signal loss/error voltage with high-impedance source
- Low power consumption
- Maximum signal output
- High sensitivity to low-level signals
Aplicações
Safety, Test & Measurement, Signal Processing
Especificações Técnicas
Breakdown Voltage Vbr
-70V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min
30µA
Gate Source Cutoff Voltage Max
-1.8V
Transistor Type
JFET
Channel Type
N Channel
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Gate Source Breakdown Voltage Max
-70V
Zero Gate Voltage Drain Current Max
90µA
Transistor Case Style
TO-206AF
No. of Pins
3 Pin
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
MSL
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto