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TW083U65C,RQ(S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 28 A, 650 V, 0.124 ohm, TOLL
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FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTW083U65C,RQ(SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante5 semanas
Código Newark
Rodo à Medida49AM3032RL
Segmento de fita49AM3032
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 16.080 | $ 16.08 |
| Total Preço | $ 16.08 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 16.080 |
| 50+ | $ 15.050 |
| 100+ | $ 14.150 |
| 250+ | $ 13.270 |
| 500+ | $ 12.380 |
| 1000+ | $ 11.770 |
| 2500+ | $ 11.250 |
| 5000+ | $ 10.850 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTW083U65C,RQ(SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante5 semanas
Código Newark
Rodo à Medida49AM3032RL
Segmento de fita49AM3032
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id28A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.124ohm
Transistor Case StyleTOLL
No. of Pins8Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation111W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
28A
Drain Source On State Resistance
0.124ohm
No. of Pins
8Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TOLL
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
111W
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:A ser informado
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto