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TTA1943
BIPOLAR TRANSISTOR ARRAY, AUDIO, PNP
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FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTTA1943Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark55T7375
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTTA1943Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark55T7375
Ficha técnica
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage Max230V
Continuous Collector Current15A
Power Dissipation150W
Transition Frequency30MHz
DC Current Gain hFE Min80hFE
Transistor Case StyleTO-3PL
No. of Pins3Pins
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Descrição geral do produto
The TTA1943 from Toshiba is a through hole PNP silicon epitaxial transistor in TO-3 package. This device is commonly used for power amplification.
- Collector to emitter voltage (Vce) is -230V
- Collector current (Ic) is -15A
- Power dissipation (Pd) is 150W
- Collector to emitter saturation voltage of -3V at -8A collector current
- DC current gain (hFE) of 80 at -1A collector current
- Operating junction temperature range from 150°C
Aplicações
Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
PNP
Continuous Collector Current
15A
Transition Frequency
30MHz
Transistor Case Style
TO-3PL
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
230V
Power Dissipation
150W
DC Current Gain hFE Min
80hFE
No. of Pins
3Pins
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Documentação técnica (2)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (15-Jan-2018)
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