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FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTPN4R712MD,L1Q(MCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark
Rodo à Medida09AK9001RL
Segmento de fita09AK9001
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.050 | $ 1.05 |
| Total Preço | $ 1.05 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.050 |
| 10+ | $ 0.861 |
| 25+ | $ 0.761 |
| 50+ | $ 0.678 |
| 100+ | $ 0.581 |
| 250+ | $ 0.510 |
| 500+ | $ 0.404 |
| 1000+ | $ 0.388 |
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTPN4R712MD,L1Q(MCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark
Rodo à Medida09AK9001RL
Segmento de fita09AK9001
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id36A
On Resistance Rds(on)0.0038ohm
Drain Source On State Resistance3800µohm
Transistor Case StyleTSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation Pd42W
Power Dissipation42W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.0038ohm
Transistor Case Style
TSON
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation Pd
42W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
36A
Drain Source On State Resistance
3800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
Power Dissipation
42W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto
