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TPN22006NH,LQ(S
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 21 A, 0.018 ohm, TSON, Surface Mount
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FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTPN22006NH,LQ(SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark
Rodo à Medida09AK8999RL
Segmento de fita09AK8999
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.559 | $ 2.80 |
| Total Preço | $ 2.80 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.559 |
| 10+ | $ 0.457 |
| 25+ | $ 0.404 |
| 50+ | $ 0.359 |
| 100+ | $ 0.308 |
| 250+ | $ 0.271 |
| 500+ | $ 0.214 |
| 1000+ | $ 0.206 |
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTPN22006NH,LQ(SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark
Rodo à Medida09AK8999RL
Segmento de fita09AK8999
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id21A
On Resistance Rds(on)0.018ohm
Drain Source On State Resistance0.018ohm
Transistor Case StyleTSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation18W
Power Dissipation Pd18W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.018ohm
Transistor Case Style
TSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
18W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
21A
Drain Source On State Resistance
0.018ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
18W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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