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TPH7R006PL,L1Q(M
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 60 A, 5.4 mohm, SOP, Surface Mount
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FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTPH7R006PL,L1Q(MCópia
Código Newark09AK8994
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| Quantidade | Preço | Preço de promocional |
|---|---|---|
| 1+ | $ 1.130 | $ 0.308 |
| 10+ | $ 0.969 | $ 0.308 |
| 25+ | $ 0.873 | $ 0.308 |
| 50+ | $ 0.793 | $ 0.308 |
| 100+ | $ 0.665 | $ 0.308 |
| 250+ | $ 0.588 | $ 0.308 |
| 500+ | $ 0.511 | $ 0.308 |
| 1000+ | $ 0.490 | $ 0.308 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 0.31
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTPH7R006PL,L1Q(MCópia
Código Newark09AK8994
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id60A
On Resistance Rds(on)0.0054ohm
Drain Source On State Resistance5.4mohm
Transistor Case StyleSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation81W
Power Dissipation Pd81W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.0054ohm
Transistor Case Style
SOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
81W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
5.4mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation Pd
81W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto