Imprimir página
TPH2R306NH1,LQ(M
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 136 A, 0.0023 ohm, SOP, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTPH2R306NH1,LQ(MCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK6547
Rodo à Medida09AK8984
Segmento de fita09AK8984
Seu número de peça
4,630 Em Estoque
1,010 Você pode reservar estoque agora
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.240 | $ 2.24 |
| Total Preço | $ 2.24 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.240 |
| 10+ | $ 1.970 |
| 25+ | $ 1.780 |
| 50+ | $ 1.590 |
| 100+ | $ 1.380 |
| 250+ | $ 1.180 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5000+ | $ 1.010 |
| 10000+ | $ 0.958 |
| 20000+ | $ 0.863 |
| 30000+ | $ 0.828 |
| 50000+ | $ 0.799 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTPH2R306NH1,LQ(MCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK6547
Rodo à Medida09AK8984
Segmento de fita09AK8984
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id136A
Drain Source On State Resistance2300µohm
On Resistance Rds(on)0.0019ohm
Transistor Case StyleSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd170W
Power Dissipation170W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
2300µohm
Transistor Case Style
SOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
170W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
136A
On Resistance Rds(on)
0.0019ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
170W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto