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TPH14006NH,L1Q(M
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 34 A, 11 mohm, SOP Advance, Surface Mount
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FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTPH14006NH,L1Q(MCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rodo à Medida72AK4605RL
Segmento de fita72AK4605
Gama de produtosU-MOSVIII-H Series
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.832 | $ 0.83 |
| Total Preço | $ 0.83 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.832 |
| 50+ | $ 0.714 |
| 100+ | $ 0.643 |
| 250+ | $ 0.584 |
| 500+ | $ 0.490 |
| 1000+ | $ 0.434 |
| 2500+ | $ 0.377 |
| 5000+ | $ 0.361 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTPH14006NH,L1Q(MCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rodo à Medida72AK4605RL
Segmento de fita72AK4605
Gama de produtosU-MOSVIII-H Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id34A
Drain Source On State Resistance11mohm
Transistor Case StyleSOP Advance
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation32W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeU-MOSVIII-H Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
34A
Transistor Case Style
SOP Advance
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
32W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
11mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
U-MOSVIII-H Series
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto