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TPH11003NL,LQ(S
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 32 A, 0.0094 ohm, SOP Advance, Surface Mount
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FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTPH11003NL,LQ(SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark
Rodo à Medida72AK4602RL
Segmento de fita72AK4602
Gama de produtosU-MOSVIII-H Series
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.601 | $ 0.60 |
| Total Preço | $ 0.60 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.601 |
| 10+ | $ 0.502 |
| 25+ | $ 0.450 |
| 50+ | $ 0.407 |
| 100+ | $ 0.357 |
| 250+ | $ 0.321 |
| 500+ | $ 0.266 |
| 1000+ | $ 0.258 |
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTPH11003NL,LQ(SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark
Rodo à Medida72AK4602RL
Segmento de fita72AK4602
Gama de produtosU-MOSVIII-H Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id32A
Drain Source On State Resistance9400µohm
Transistor Case StyleSOP Advance
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Power Dissipation21W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeU-MOSVIII-H Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
32A
Transistor Case Style
SOP Advance
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
21W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
9400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
U-MOSVIII-H Series
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto