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TK4P60D,RQ(S
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTK4P60D,RQ(SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark
Rodo à Medida72AK4526RL
Segmento de fita72AK4526
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740 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.140 | $ 1.14 |
| Total Preço | $ 1.14 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.140 |
| 50+ | $ 0.951 |
| 100+ | $ 0.854 |
| 250+ | $ 0.774 |
| 500+ | $ 0.680 |
| 1000+ | $ 0.612 |
| 2500+ | $ 0.509 |
| 5000+ | $ 0.494 |
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTK4P60D,RQ(SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark
Rodo à Medida72AK4526RL
Segmento de fita72AK4526
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source On State Resistance1.4ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
Power Dissipation100W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
100W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
1.4ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto