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TK3P80E,RQ(S
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 3 A, 3.9 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTK3P80E,RQ(SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark
Rodo à Medida72AK4496RL
Segmento de fita72AK4496
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.260 | $ 1.26 |
| Total Preço | $ 1.26 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.260 |
| 10+ | $ 1.080 |
| 25+ | $ 0.973 |
| 50+ | $ 0.884 |
| 100+ | $ 0.741 |
| 250+ | $ 0.655 |
| 500+ | $ 0.570 |
| 1000+ | $ 0.546 |
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTK3P80E,RQ(SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark
Rodo à Medida72AK4496RL
Segmento de fita72AK4496
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source On State Resistance3.9ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation80W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
80W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
3.9ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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