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TK28V65W5,LQ(S
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 27.6 A, 0.115 ohm, DFN, Surface Mount
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FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTK28V65W5,LQ(SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark
Rodo à Medida72AK4490RL
Segmento de fita72AK4490
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1,550 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 6.980 | $ 6.98 |
| Total Preço | $ 6.98 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 6.980 |
| 10+ | $ 6.160 |
| 25+ | $ 5.640 |
| 50+ | $ 5.110 |
| 100+ | $ 4.440 |
| 250+ | $ 3.520 |
| 500+ | $ 3.340 |
| 1000+ | $ 3.140 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTK28V65W5,LQ(SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark
Rodo à Medida72AK4490RL
Segmento de fita72AK4490
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id27.6A
Drain Source On State Resistance0.115ohm
Transistor Case StyleDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation240W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
27.6A
Transistor Case Style
DFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
240W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.115ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
5Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto