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TK14G65W5,RQ(S
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 13.7 A, 0.25 ohm, D2PAK, Surface Mount
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FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTK14G65W5,RQ(SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark
Rodo à Medida72AK4450RL
Segmento de fita72AK4450
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955 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 4.130 | $ 4.13 |
| Total Preço | $ 4.13 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.130 |
| 10+ | $ 3.650 |
| 25+ | $ 3.350 |
| 50+ | $ 3.030 |
| 100+ | $ 2.630 |
| 250+ | $ 2.080 |
| 500+ | $ 1.980 |
| 1000+ | $ 1.850 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTK14G65W5,RQ(SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark
Rodo à Medida72AK4450RL
Segmento de fita72AK4450
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id13.7A
Drain Source On State Resistance0.25ohm
Transistor Case StyleD2PAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation130W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
13.7A
Transistor Case Style
D2PAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
130W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.25ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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