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TBD62083AFNG(Z,EL)
DMOS Transistor Array, 8 Output, 500 mA/50V Out, -40 to 85°C, SSOP-18
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FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTBD62083AFNG(Z,EL)Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante36 semanas
Código Newark
Rodo à Medida74AK2913RL
Segmento de fita74AK2913
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Rodo à Medida | 1 | $ 1.830 | $ 1.83 |
| Total Preço | $ 1.83 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.830 |
| 50+ | $ 1.610 |
| 100+ | $ 1.460 |
| 250+ | $ 1.300 |
| 500+ | $ 1.130 |
| 1000+ | $ 0.973 |
| 2500+ | $ 0.886 |
| 5000+ | $ 0.839 |
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteTBD62083AFNG(Z,EL)Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante36 semanas
Código Newark
Rodo à Medida74AK2913RL
Segmento de fita74AK2913
Ficha técnica
Descrição geral do produto
TBD62083AFNG(Z,EL) is a TBD62083A series BiCD silicon monolithic integrated circuit. It has a clamp diode for switching inductive loads built-in in each output.
- 8 channel sink type DMOS transistor array
- High voltage is 50V (max, Ta = 25°C), high current is 500mA/ch (max, Ta = 25°C)
- Input voltage range from 2.5 to 25V (output on, IOUT = 100mA or upper, VOUT = 2V, Ta = −40 to 85°C)
- COMMON pin voltage is 50V (max, Ta = -40 to 85°C)
- Clamp diode forward current is 400mA (max, Ta = -40 to 85°C)
- Output leakage current is 1.0μA (max, VOUT = 50V, Ta = 85°C, VIN = 0V)
- Turn on delay is 0.4μs (typ, VOUT = 50V, RL = 125ohm, CL = 15pF)
- Turn off delay is 0.8μs (typ, VOUT = 50V, RL = 125ohm, CL = 15pF)
- SSOP18-P-225-0.65 package, operating temperature range from -40 to 85°C
Notas
Please be careful about thermal conditions during use.
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
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Certificado de conformidade do produto