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SSM3K16CT,L3F(T
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 100 mA, 3 ohm, CST, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteSSM3K16CT,L3F(TCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rodo à Medida01AM0616RL
Segmento de fita01AM0616
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.331 | $ 0.33 |
| Total Preço | $ 0.33 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.331 |
| 10+ | $ 0.256 |
| 25+ | $ 0.157 |
| 50+ | $ 0.127 |
| 100+ | $ 0.107 |
| 250+ | $ 0.087 |
| 500+ | $ 0.068 |
| 1000+ | $ 0.064 |
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteSSM3K16CT,L3F(TCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rodo à Medida01AM0616RL
Segmento de fita01AM0616
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id100mA
Drain Source On State Resistance3ohm
Transistor Case StyleCST
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4V
Gate Source Threshold Voltage Max1.1V
Power Dissipation100mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100mA
Transistor Case Style
CST
Rds(on) Test Voltage
4V
Power Dissipation
100mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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