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SSM3K123TU,LF(T
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-323F, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteSSM3K123TU,LF(TCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark
Rodo à Medida09AK7968RL
Segmento de fita09AK7968
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.500 | $ 0.50 |
| Total Preço | $ 0.50 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.500 |
| 10+ | $ 0.383 |
| 25+ | $ 0.319 |
| 50+ | $ 0.268 |
| 100+ | $ 0.225 |
| 250+ | $ 0.192 |
| 500+ | $ 0.157 |
| 1000+ | $ 0.132 |
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteSSM3K123TU,LF(TCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark
Rodo à Medida09AK7968RL
Segmento de fita09AK7968
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id4.2A
Drain Source On State Resistance0.019ohm
On Resistance Rds(on)0.019ohm
Transistor Case StyleSOT-323F
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation800mW
Power Dissipation Pd800mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.019ohm
Transistor Case Style
SOT-323F
Rds(on) Test Voltage
4V
Power Dissipation
800mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.2A
On Resistance Rds(on)
0.019ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
800mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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