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SSM3J35AMFV,L3F(T
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 250 mA, 1.4 ohm, SOT-723, Surface Mount
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FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteSSM3J35AMFV,L3F(TCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark
Rodo à Medida01AM0607RL
Segmento de fita01AM0607
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.205 | $ 0.20 |
| Total Preço | $ 0.20 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.205 |
| 10+ | $ 0.159 |
| 25+ | $ 0.097 |
| 50+ | $ 0.078 |
| 100+ | $ 0.066 |
| 250+ | $ 0.054 |
| 500+ | $ 0.042 |
| 1000+ | $ 0.039 |
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteSSM3J35AMFV,L3F(TCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark
Rodo à Medida01AM0607RL
Segmento de fita01AM0607
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id250mA
Drain Source On State Resistance1.4ohm
Transistor Case StyleSOT-723
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
250mA
Transistor Case Style
SOT-723
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
1.4ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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