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SSM3J168F,LXHF(T
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 400 mA, 1.55 ohm, SOT-346, Surface Mount
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FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteSSM3J168F,LXHF(TCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark
Rodo à Medida03AM3022RL
Segmento de fita03AM3022
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.752 | $ 0.75 |
| Total Preço | $ 0.75 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.752 |
| 10+ | $ 0.577 |
| 25+ | $ 0.481 |
| 50+ | $ 0.404 |
| 100+ | $ 0.339 |
| 250+ | $ 0.288 |
| 500+ | $ 0.236 |
| 1000+ | $ 0.199 |
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteSSM3J168F,LXHF(TCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark
Rodo à Medida03AM3022RL
Segmento de fita03AM3022
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id400mA
Drain Source On State Resistance1.55ohm
Transistor Case StyleSOT-346
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation600mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
400mA
Transistor Case Style
SOT-346
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
600mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
1.55ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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