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SSM3J130TU,LF(T
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 4.4 A, 0.0258 ohm, SOT-323F, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteSSM3J130TU,LF(TCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark
Rodo à Medida03AM3014RL
Segmento de fita03AM3014
Gama de produtosU-MOSVI Series
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.612 | $ 0.61 |
| Total Preço | $ 0.61 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.612 |
| 10+ | $ 0.470 |
| 25+ | $ 0.391 |
| 50+ | $ 0.328 |
| 100+ | $ 0.275 |
| 250+ | $ 0.235 |
| 500+ | $ 0.192 |
| 1000+ | $ 0.162 |
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteSSM3J130TU,LF(TCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark
Rodo à Medida03AM3014RL
Segmento de fita03AM3014
Gama de produtosU-MOSVI Series
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id4.4A
Drain Source On State Resistance0.0258ohm
Transistor Case StyleSOT-323F
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation800mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeU-MOSVI Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.4A
Transistor Case Style
SOT-323F
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
800mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.0258ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
U-MOSVI Series
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto