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SSM3J112TU,LF(T
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 1.1 A, 0.39 ohm, SOT-323F, Surface Mount
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FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteSSM3J112TU,LF(TCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark01AM0603
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.363 |
| 10+ | $ 0.278 |
| 25+ | $ 0.232 |
| 50+ | $ 0.194 |
| 100+ | $ 0.163 |
| 250+ | $ 0.139 |
| 500+ | $ 0.113 |
| 1000+ | $ 0.096 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 0.36
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricanteSSM3J112TU,LF(TCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante14 semanas
Código Newark01AM0603
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id1.1A
Drain Source On State Resistance0.39ohm
Transistor Case StyleSOT-323F
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation800mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.1A
Transistor Case Style
SOT-323F
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
800mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.39ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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