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2SK208-O(TE85L,F)
JFET Transistor, 50 V, 6.5 mA, 5 V, TO-236MOD, 3 Pin, 125 °C
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricante2SK208-O(TE85L,F)Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark
Rodo à Medida10AK1275RL
Segmento de fita10AK1275
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.647 | $ 0.65 |
| Total Preço | $ 0.65 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.647 |
| 50+ | $ 0.397 |
| 100+ | $ 0.254 |
| 250+ | $ 0.223 |
| 500+ | $ 0.192 |
| 1000+ | $ 0.172 |
| 2500+ | $ 0.169 |
| 5000+ | $ 0.165 |
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricante2SK208-O(TE85L,F)Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark
Rodo à Medida10AK1275RL
Segmento de fita10AK1275
Ficha técnica
Breakdown Voltage Vbr50V
Gate Source Breakdown Voltage Max50V
Zero Gate Voltage Drain Current Max6.5mA
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min300µA
Gate Source Cutoff Voltage Max5V
Transistor Case StyleTO-236MOD
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max125°C
Transistor TypeMOSFET
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Breakdown Voltage Vbr
50V
Zero Gate Voltage Drain Current Max
6.5mA
Gate Source Cutoff Voltage Max
5V
No. of Pins
3 Pin
Transistor Type
MOSFET
Transistor Mounting
Surface Mount
Qualification
-
Gate Source Breakdown Voltage Max
50V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min
300µA
Transistor Case Style
TO-236MOD
Operating Temperature Max
125°C
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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