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2SK2009(TE85L,F)
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 200 mA, 2 ohm, TO-236MOD, Surface Mount
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FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricante2SK2009(TE85L,F)Cópia
Código Newark10AK1273
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| Quantidade | Preço | Preço de promocional |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.986 | $ 0.115 |
| 10+ | $ 0.615 | $ 0.115 |
| 25+ | $ 0.543 | $ 0.115 |
| 50+ | $ 0.471 | $ 0.115 |
| 100+ | $ 0.399 | $ 0.115 |
| 250+ | $ 0.352 | $ 0.115 |
| 500+ | $ 0.305 | $ 0.115 |
| 1000+ | $ 0.274 | $ 0.115 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 0.12
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricante2SK2009(TE85L,F)Cópia
Código Newark10AK1273
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id200mA
Drain Source On State Resistance2ohm
On Resistance Rds(on)2ohm
Transistor Case StyleTO-236MOD
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage2.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation200mW
Power Dissipation Pd200mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
2ohm
Transistor Case Style
TO-236MOD
Rds(on) Test Voltage
2.5V
Power Dissipation
200mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
200mA
On Resistance Rds(on)
2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
Power Dissipation Pd
200mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos