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2SJ305(TE85L,F)
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 200 mA, 4 ohm, TO-236MOD, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricante2SJ305(TE85L,F)Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark
Rodo à Medida29AM9450RL
Segmento de fita29AM9450
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.414 | $ 0.41 |
| Total Preço | $ 0.41 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.414 |
| 10+ | $ 0.338 |
| 25+ | $ 0.298 |
| 50+ | $ 0.266 |
| 100+ | $ 0.228 |
| 250+ | $ 0.200 |
| 500+ | $ 0.158 |
| 1000+ | $ 0.152 |
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Informação do produto
FabricanteTOSHIBA
Nº da peça do fabricante2SJ305(TE85L,F)Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark
Rodo à Medida29AM9450RL
Segmento de fita29AM9450
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id200mA
Drain Source On State Resistance4ohm
Transistor Case StyleTO-236MOD
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage2.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation200mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
200mA
Transistor Case Style
TO-236MOD
Rds(on) Test Voltage
2.5V
Power Dissipation
200mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
4ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto