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XP231N02013R-G
MOSFET, N-CH, 0.2A, 30V, SOT-323-3A
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FabricanteTOREX
Nº da peça do fabricanteXP231N02013R-GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante32 semanas
Código Newark91AH9288
Gama de produtosXP231N0201xx-G-G
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
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Vários: 5
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Informação do produto
FabricanteTOREX
Nº da peça do fabricanteXP231N02013R-GCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante32 semanas
Código Newark91AH9288
Gama de produtosXP231N0201xx-G-G
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id200mA
On Resistance Rds(on)3ohm
Drain Source On State Resistance3ohm
Transistor Case StyleSOT-323-3A
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.3V
Power Dissipation350mW
Power Dissipation Pd350mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeXP231N0201xx-G-G
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
3ohm
Transistor Case Style
SOT-323-3A
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
350mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
XP231N0201xx-G-G
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
200mA
Drain Source On State Resistance
3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.3V
Power Dissipation Pd
350mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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