Imprimir página
TQM250NB06DCR RLG
MOSFET, DUAL, N-CH, 60V, 30A, PDFN56U
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteTAIWAN SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteTQM250NB06DCR RLGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante32 semanas
Código Newark
Rodo à Medida59AJ2291RL
Segmento de fita59AJ2291
Seu número de peça
91 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.920 | $ 1.92 |
| Total Preço | $ 1.92 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.920 |
| 50+ | $ 1.150 |
| 100+ | $ 0.849 |
| 250+ | $ 0.778 |
| 500+ | $ 0.706 |
| 1000+ | $ 0.647 |
| 2500+ | $ 0.608 |
| 5000+ | $ 0.607 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteTAIWAN SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteTQM250NB06DCR RLGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante32 semanas
Código Newark
Rodo à Medida59AJ2291RL
Segmento de fita59AJ2291
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel30A
Continuous Drain Current Id P Channel30A
Drain Source On State Resistance N Channel0.021ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.021ohm
Transistor Case StylePDFN56U
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel58W
Power Dissipation P Channel58W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
30A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.021ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
58W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id
30A
Continuous Drain Current Id N Channel
30A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.021ohm
Transistor Case Style
PDFN56U
Power Dissipation N Channel
58W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2018)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto