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FabricanteTAIWAN SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricante1N5406G R0GCópia
Código Newark83AH3150
Gama de produtos1N540xG Series
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Informação do produto
FabricanteTAIWAN SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricante1N5406G R0GCópia
Código Newark83AH3150
Gama de produtos1N540xG Series
Ficha técnica
Repetitive Peak Reverse Voltage600V
Average Forward Current3A
Diode ConfigurationSingle
Forward Voltage Max1V
Reverse Recovery Time-
Forward Surge Current125A
Operating Temperature Max150°C
Diode Case StyleDO-201AD
No. of Pins2Pins
Product Range1N540xG Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Especificações Técnicas
Repetitive Peak Reverse Voltage
600V
Diode Configuration
Single
Reverse Recovery Time
-
Operating Temperature Max
150°C
No. of Pins
2Pins
Qualification
-
Average Forward Current
3A
Forward Voltage Max
1V
Forward Surge Current
125A
Diode Case Style
DO-201AD
Product Range
1N540xG Series
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (27-Jun-2018)
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