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STY100NM60N
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 98 A, 0.028 ohm, MAX-247, Through Hole
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTY100NM60NCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark45AC7797
Gama de produtosMDmesh II
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSTY100NM60NCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark45AC7797
Gama de produtosMDmesh II
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id98A
On Resistance Rds(on)0.028ohm
Drain Source On State Resistance0.028ohm
Transistor Case StyleMAX-247
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd625W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation625W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMDmesh II
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.028ohm
Transistor Case Style
MAX-247
Power Dissipation Pd
625W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
MDmesh II
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
98A
Drain Source On State Resistance
0.028ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
625W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto